UV剝離膠帶 SELFA™
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憑借高耐熱性及特殊剝離技術(shù)來
實(shí)現(xiàn)嶄新的半導(dǎo)體工藝「SELFA™」
什么是SELFA™?
SELFA™是一種優(yōu)秀的膠帶，具有高粘合性，并且可以輕松剝離。通過UV照射，膠帶與被粘體之間會產(chǎn)生氣體，使粘合力降為零，可輕松剝離。
研磨得很薄的晶圓等也可以進(jìn)行無損加工。
在什么時(shí)候使用SELFA™?
主要在半導(dǎo)體晶圓加工、芯片制造等過程中會用到SELFA™。目前，我們有三種型號，分別適用于封裝、晶圓支撐、電鍍等各種工藝。
根據(jù)具體用途，有單面、雙面兩種形態(tài)以供選擇。
【SEKISUI】半導(dǎo)體制程臨時(shí)鍵合UV膠帶「SELFA™」
SELFA™核心技術(shù)
我在找高耐熱的臨時(shí)鍵合材料
耐熱性
- 業(yè)界壓倒性的260°C耐熱性能
- 適用于回流焊等工藝
擔(dān)心對晶圓產(chǎn)生損傷
輕剝離
- 通過產(chǎn)生氣體實(shí)現(xiàn)無損剝離
- 適用于超薄元件
我想消除熱工序中的殘?jiān)?/p>
低殘膠
- 以Pre UV技術(shù)實(shí)現(xiàn)無殘?jiān)鼊冸x
- 更靈活的工藝條件
SELFA™剝離技術(shù)
SELFA™剝離演示視頻
敬請觀賞其他公司所沒有的，可從纖細(xì)的晶圓表面實(shí)現(xiàn)輕松剝離的先進(jìn)技術(shù)展示。
分段式UV照射
1Pre UV固化
傳統(tǒng)的UV膠帶在熱工序中粘合強(qiáng)度會上升，并且在照射UV后也不會下降太多，導(dǎo)致其不易剝離，且多會存在殘?jiān)鼏栴}。
而SELFA™是先照射Pre UV使膠層固化，粘合強(qiáng)度顯著降低，并且在之后的熱工序中粘合力的上升幅度也非常小，因而更容易剝離，且大幅度減少了殘?jiān)鼏栴}。
2產(chǎn)生氣體
在照射Post UV的過程中，SELFA™和玻璃載體之間會產(chǎn)生氮?dú)?。所產(chǎn)生氣體的面積會不斷擴(kuò)大，最終擴(kuò)散到整面晶圓范圍。
經(jīng)過Post UV照射后，只需微乎其微的力量便可輕松地將玻璃載體分離開來。
SELFA™與液體材料的工藝對比
通過使用SELFA™，可以大幅度縮短貼合、剝離等工序的所需時(shí)間。
傳統(tǒng)液體
材料
SELFA™
產(chǎn)品的研發(fā)故事SEKISUIProduct Development Story
通過“粘接與剝離”的創(chuàng)新技術(shù)
持續(xù)支持半導(dǎo)體工藝發(fā)展的SELFA™
高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域開發(fā)研究所 前所長
（2019年退休）
Science Lab. Ishizue現(xiàn)任代表
中壽賀 章
高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域
開發(fā)研究所
電子材料開發(fā)中心
主任技術(shù)員
高橋 俊夫
SELFA™產(chǎn)品陣容
雙面耐熱
SELFA™ HW系列
BG ~ Dicing工藝
- 優(yōu)良的耐熱性，耐藥性
- 通過產(chǎn)生氣體實(shí)現(xiàn)無損傷剝離
- 干膜式的臨時(shí)鍵合使操作更加安全穩(wěn)定
單面耐熱
SELFA™ HS系列
化學(xué)工序中保護(hù)元件
熱工序中抑制翹曲
- 優(yōu)良的耐熱性，耐藥性
- 同時(shí)兼?zhèn)鋸?qiáng)粘著+低殘膠兩種性能
單面自剝離
SELFA™ MP系列
電鍍工序中保護(hù)元件
- UV照射后粘著劑自行產(chǎn)出氮?dú)馐拐沉ο陆?，可在晶圓不受外力的情況下實(shí)現(xiàn)自行剝離。
SELFA™性能對照表
| 產(chǎn)品/條件 | 雙面耐熱 SELFA™ HW系列 | 單面耐熱 SELFA™ HS系列 | 單面自剝離 SELFA™ MP系列 | |
|---|---|---|---|---|
| 耐熱性 | 260°C / Reflow | 250°C / Reflow | 80°C / 30min. | |
| 220°C / 2hr | 220°C / 2hr | |||
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粘合強(qiáng)度 (N/英寸) Pre UV前 → 后 |
晶圓面 | SUS: 10.5 → 0.01 | SUS: 3.83 → 0.08 | SUS: 17.5 → 0 |
| Si: 0.08 → 0.02 | Si: 0.06 → 0.02 | Si: 16.1 → 0 | ||
| - | Cu: 4.51 → 0.10 | Au: 13.5 → 0 | ||
| 玻璃面 | Glass: 0.06 → <0.01 | - | - | |
使用案例和應(yīng)用
CMOS圖像傳感器
- 雙面耐熱
SELFA™ HW
層疊型記憶體
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS
通信模塊
- 單面耐熱
SELFA™ HS
應(yīng)用處理器（FOWLP）
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS
內(nèi)置元件基板
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS - 單面自剝離
SELFA™ MP
功率半導(dǎo)體
- 單面自剝離
SELFA™ MP
雙面耐熱 SELFA™ HW系列
特征：
- 耐熱性
- 耐藥性
- 低殘膠
- 輕剝離
實(shí)現(xiàn)干膜式的干法臨時(shí)鍵合工藝，提升生產(chǎn)性
工藝
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測試結(jié)果
Ⅰ．鏡面晶圓BG后的TTV測試
測試方法
TTV分布
【平均】 厚度:24.4μm/TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 通過本公司獨(dú)有的“Pre UV技術(shù)”提供業(yè)界最高水準(zhǔn)的TTV控制性能。
- <3μm@12” 晶圓
Ⅱ．熱工序后的殘?jiān)鼫y試＜烤箱剝離測試＞
要點(diǎn):
- 耐熱性
- 設(shè)備和條件
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- 制造商: ETAC
- 型號: CSO-603BF
- 溫度: 180-220°C
- 時(shí)長: 1~2小時(shí)
- 晶圓樣本
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8inch Bump TEG Wafer
結(jié)果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1小時(shí) |  |
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| 2小時(shí) |  |
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在220°C下加熱2小時(shí)并剝離后，TEG晶圓上未發(fā)現(xiàn)殘留物。
單面耐熱 SELFA™ HS系列
特征：
- 耐熱性
- 耐藥性
- 低殘膠
在回流、CVD 和濺射等熱處理過程中支撐和保護(hù)器件。
工藝
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耐熱性測試 (氣泡)
加熱板測試
- 樣本
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- 設(shè)備?條件
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- 制造商: NINOS
- 型號: ND-3H
- 溫度: 180-250°C
- 時(shí)長: 30-180分鐘
測試結(jié)果
加熱相應(yīng)時(shí)間后的剝離性能
| 30分鐘 | 60分鐘 | 120分鐘 | 180分鐘 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 以上數(shù)據(jù)為實(shí)測值，非保證值。
加熱后的粘合強(qiáng)度
加熱后的晶圓狀態(tài)
加熱板測試結(jié)果證實(shí)，在熱工序中并沒有出現(xiàn)氣泡，并且在220°C/180分鐘后的剝離過程中沒有殘留物產(chǎn)生。
單面自剝離SELFA™ MP系列
特征：
- 輕剝離
用于在電鍍過程中保護(hù)晶圓背面。UV照射會使其產(chǎn)生氣體，可輕松從被粘物上剝離。
無電解電鍍工序中的晶圓保護(hù)技術(shù)(無電解電鍍法)
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在電鍍過程中具有優(yōu)異的耐強(qiáng)酸、耐強(qiáng)堿性能，保護(hù)晶圓，并可以輕松剝離。
氣泡和殘留物測試結(jié)果
要點(diǎn)：
- 輕剝離
鍍Au晶圓
沒有氣泡，邊緣沒有剝離
有機(jī)殘留物檢測@8'晶圓
將SELFA™ MP剝離后，未觀察到殘留物
使用雙面SELFA™實(shí)現(xiàn)工藝自動(dòng)化
使用SELFA™實(shí)現(xiàn)流程自動(dòng)化，保持環(huán)境清潔
在使用SELFA™的過程中，從貼合到剝離可實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化。為提高生產(chǎn)效率做貢獻(xiàn)。
設(shè)備介紹
- ①晶圓鍵合設(shè)備
- Takatori Corporation
WSM-200B
- 晶圓解鍵合設(shè)備
- Takatori Corporation
WSR-200
玻璃載體可重復(fù)使用
再利用能力是以往工藝的2倍，更利于SDGs
玻璃載體的再利用
使用SELFA™，玻璃表面不會發(fā)生凹陷，更利于回收再利用。
| SELFA™ | 液體 | |
| 再利用次數(shù) | 20次以上 | 10次以上 |
| 解鍵合方法 | UV燈 UV激光 |
各種激光 |
| 再利用方法 | 主要是溶劑清洗 | 溶劑清洗、研磨等 |
| UV工序中的玻璃凹痕 | 無 |
有 |
| 效果 |  整面UV照射，玻璃無損傷 |
 鐳射照射，玻璃表面會積累傷痕 |
產(chǎn)品的研發(fā)故事SEKISUIProduct Development Story
通過“粘接與剝離”的創(chuàng)新技術(shù)
持續(xù)支持半導(dǎo)體工藝發(fā)展的SELFA™
高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域開發(fā)研究所 前所長
（2019年退休）
Science Lab. Ishizue現(xiàn)任代表
中壽賀 章
高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域
開發(fā)研究所
電子材料開發(fā)中心
主任技術(shù)員
高橋 俊夫